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Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图

更新时间:2021-10-19  作者:admin

 

  今天,Intel发布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图,展示了一系列底层技术创新。

  除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外,Intel还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻(EUV)技术的计划,即高数值孔径(High-NA)EUV。

  Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。

  Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士表示:“Intel有着悠久的制程工艺基础性创新的历史,这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90 nm应变硅向45 nm高K金属栅极的过渡,并在22 nm时率先引入FinFET。凭借RibbonFET和PowerVia两大开创性技术,Intel 20A将成为制程技术的另一个分水岭。”(作者:朝晖)

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